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TONGYAO電容在LLC串聯諧振電路中的作用

2018/1/10 admin

LLC的競爭優勢的一個就是說是可以在相對比較寬的負債範圍內實現了原邊MOSFET的零電流值辦理服務（ZVS），MOSFET的辦理服務損耗量理論與實踐上就降為零了。要保障LLC原邊MOSFET的ZVS，必須要夠滿足之下5個大多因素： 1）橫豎打開管50%占空比，1800對稱性的驅動器電壓降波形圖； 2）情緒化諧振腔并有足以的情緒化電流量； 3）要有任何的死區日子保持ZVS。圖a)是典范的LLC電容器串聯諧振電路板。圖b)是各樣負荷下MOSFET的辦公波形圖。仍然各樣負荷下，瞬時電流值相位上就會超強電流值電壓，所以說能還可以保障了MOSFET運轉的ZVS。要能還可以保障MOSFET運轉在各樣區，諧振電感上的諧振瞬時電流值不得不足以大，以有效確保MOSFET源漏間等效的寄身電容器上內存的電荷量還可以在死區期限內被全放出好。濾波電容在LLC串連諧振集成運放中的用當原邊的MOSFET都始終處于關斷的狀態時，并聯用電線路圖諧振用電線路中的諧振電流大小會對按鈕管MOSFET的等效輸送濾波電容參與充充放。MOSFET都關斷時的等效用電線路詳細圖下圖：濾波電容在LLC電容串聯諧振電路設計中的效應利用對上圖的闡述，也可以確定需要求ZVS的多個不必要狀態，一下：電阻在LLC電容并聯諧振三極管中的功效表格數學函數見到去固然簡短，但的關干MOSFET等效模擬輸出電阻Ceq的現實條件，就MOSFET的等效寄托在菌電阻是源漏極端電壓Vds的數學函數，之后的的文章對MOSFET的等效寄托在菌電阻展開過簡單的的理論和現實講述。，也就說，等效電阻值的尺寸大小會跟隨著Vds的發展而發展。如下圖所顯示圖所顯示，以Infineon的IPP60R190P6試對：電感在LLC結合諧振電源電路中的反應 LLC串并聯諧振電路原理MOSFET的Vds釋放的過程包括四位時期，下面圖圖示， (I) 380V-300V; (II) 300V-200V; (III) 200V-100V; (IV)100V-0V。電容（電容器）在LLC電容串聯諧振電路原理中的做用從該圖能夠查出，(I)和(IV)兩臺分涌入了Vds交流電耗時的花費2/3，對此諧振腔的電感交流電主要是發生變化。這兩臺分之以至于涌入了Vds交流電的大那局部耗時，主要是原因分析就是當Vds的降低到臨近于0的情況，MOFET源漏間的寄身電容（電容器）Coss會分指數的延長。對此要可以保持出來掉這一項那局部的正電荷，必須要更長的LLC諧振周期公式和保持出來耗時。于是考慮適于的MOSFET(至少小的等效寄托在電感)，相對ZVS的控制至關主要，尤為是當Vds相似于0的階段，等效打印輸出電感要至少小，其實還也能夠進幾步減輕死區時并提高了LLC的事業轉化率。如圖進步闡明怎么會選擇比較適合的ZVS細則。電容（電容器）在LLC電容串聯諧振電路原理中的角色圖（a）：佳的ZVS波型；圖（b）：Vds都還沒減退到0，Vgs早就發現。這種原因下，LLC并聯諧振馬上會發別扭電開關。對待之策須要抑制電壓器的整流直流電壓，亦或十分加強死區耗時（如若IC確定，死區耗時大部分就穩定了）；圖（c）：做到了ZVS，僅是諧振腔的電流值不充足保證MOSFET體內整流二極管的長期導通。圖（d）死區時光并不長了，會減少全部整個LLC的事業學習效率。自始至終，MOSFET的等效工作輸出電阻面對那些LLC原邊MOSFET ZVS的構建是至關必要的。假設MOSFET已然所選，諧振腔需細心地算出、操作和添加，并排序靠譜的死區時段，來復蓋整個電流的運用范圍內。現場運用中面對那些恒定行駛的硬打開都能夠以按照開發確定調整因而超過保持穩定行駛的開發為的。以至于按鈕按鈕機時候中的硬打開（軟啟中頻到底頻時候中），針對是按鈕按鈕機時候中的頭些打開的周期，面對那些有一點開發和方案格式，硬打開是以免不掉的。

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